ALD2301APAL พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ALD2301APAL เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ALD2301APAL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ALD2301APAL ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ALD2301APAL
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ALD2301APAL
- ผู้ผลิต:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- ลักษณะ:
- IC COMP VOLT CMOS OD DUAL 8DIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 46048 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ALD2301APAL.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 3 V ~ 10 V, ±1.5 V ~ 5 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท (สูงสุด): | 2mV @ 5V |
| ชนิด: | General Purpose |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-PDIP |
| ชุด: | - |
| ล่าช้าในการกระจาย (สูงสุด): | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| ประเภทขาออก: | CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL |
| ชื่ออื่น: | 1014-1101 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C |
| จำนวนขององค์ประกอบ: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| hysteresis: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Comparator General Purpose CMOS, NMOS, Open-Drain, TTL 8-PDIP |
| ปัจจุบัน - Quiescent (สูงสุด): | 180µA |
| ปัจจุบัน - เอาท์พุท (ประเภท): | 60mA |
| ปัจจุบัน - อินพุตอคติ (สูงสุด): | 200pA @ 5V |
| CMRR, PSRR (ประเภท): | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ALD2301APAL
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?