ADUM4402BRWZ-RL พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ADUM4402BRWZ-RL เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ADUM4402BRWZ-RL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ADUM4402BRWZ-RL ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ADUM4402BRWZ-RL
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ADUM4402BRWZ-RL
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 16SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 58561 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ADUM4402BRWZ-RL.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 5000Vrms |
| ชนิด: | General Purpose |
| เทคโนโลยี: | Magnetic Coupling |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SOIC |
| ชุด: | iCoupler® |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 2.5ns, 2.5ns |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด): | 3ns |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด): | 50ns, 50ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| ชื่ออื่น: | ADUM4402BRWZ-RL-ND ADUM4402BRWZ-RLTR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C |
| จำนวนช่อง: | 4 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| กำลังแยก: | No |
| ปัจจัยการผลิต - ด้าน 1 / ด้านข้าง 2: | 2/2 |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 10Mbps 25kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| อัตราการส่งข้อมูล: | 10Mbps |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด): | 25kV/µs |
| Base-Emitter อิ่มตัวแรงดัน (สูงสุด): | Unidirectional |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ADUM4402 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ADUM4402BRWZ-RL
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?