ADUM3220BRZ-RL7 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ADUM3220BRZ-RL7 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ADUM3220BRZ-RL7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ADUM3220BRZ-RL7 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ADUM3220BRZ-RL7
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ADUM3220BRZ-RL7
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- DGTL ISO 2.5KV GATE DRIVER 8SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 27670 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ADUM3220BRZ-RL7.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 7.6 V ~ 18 V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 2500Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | - |
| เทคโนโลยี: | Magnetic Coupling |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SOIC |
| ชุด: | iCoupler® |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 20ns, 20ns |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด): | - |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด): | 60ns, 60ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ชื่ออื่น: | ADUM3220BRZ-RL7-ND ADUM3220BRZ-RL7TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนช่อง: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 9 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 4A Gate Driver Magnetic Coupling 2500Vrms 2 Channel 8-SOIC |
| ปัจจุบัน - ยอดส่งออก: | 4A |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | - |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด): | 25kV/µs |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ADUM3220 |
| ได้รับการอนุมัติ: | CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ADUM3220BRZ-RL7
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025