ADUM1233BRWZ-RL พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ADUM1233BRWZ-RL เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ADUM1233BRWZ-RL ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ADUM1233BRWZ-RL ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ADUM1233BRWZ-RL
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ADUM1233BRWZ-RL
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 58379 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ADUM1233BRWZ-RL.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 12 V ~ 18 V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 2500Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | - |
| เทคโนโลยี: | Magnetic Coupling |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-SOIC |
| ชุด: | iCoupler® |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 25ns, 25ns (Max) |
| การบิดเบือนความกว้างของพัลส์ (สูงสุด): | 8ns |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด): | 160ns, 160ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| ชื่ออื่น: | ADUM1233BRWZ-RL-ND ADUM1233BRWZ-RLTR ADUM1233BRWZRL |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 105°C |
| จำนวนช่อง: | 2 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 100mA Gate Driver Magnetic Coupling 2500Vrms 2 Channel 16-SOIC |
| ปัจจุบัน - ยอดส่งออก: | 100mA |
| เอาท์พุทสูง, ต่ำ - ปัจจุบัน: | - |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด): | 75kV/µs |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ADUM1233 |
| ได้รับการอนุมัติ: | UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ADUM1233BRWZ-RL
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด