ADG5423BRMZ พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ADG5423BRMZ เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ADG5423BRMZ ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ADG5423BRMZ ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ADG5423BRMZ
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ADG5423BRMZ
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- IC ANLG SWITCH DUAL SPST 10MSOP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 51558 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ADG5423BRMZ.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว (V +): | 9 V ~ 40 V |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, Dual (V ±): | ±9 V ~ 22 V |
| เวลาสแตนด์บาย (Ton, Toff) (สูงสุด): | 199ns, 184ns |
| วงจรสวิตช์: | SPST - NO |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 10-MSOP |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| ความต้านทานต่อสภาพ (สูงสุด): | 14 Ohm |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| วงจร Multiplexer / Demultiplexer: | 1:1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 7 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2 Circuit IC Switch 1:1 14 Ohm 10-MSOP |
| ปัจจุบัน - การรั่วไหล (IS (ปิด)) (สูงสุด): | 250pA |
| crosstalk: | -85dB @ 1MHz |
| Charge Injection: | 120pC |
| การจับคู่ช่องกับช่อง (ΔRon): | 100 mOhm |
| ช่อง Capacitance (CS (ปิด), CD (ปิด)): | 11pF, 12pF |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ADG5423 |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 250MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ADG5423BRMZ
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง