ADC1015S065HNC1:5 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ADC1015S065HNC1:5 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ADC1015S065HNC1:5 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ADC1015S065HNC1:5 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ADC1015S065HNC1:5
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ADC1015S065HNC1:5
- ผู้ผลิต:
- NXP Semiconductors / Freescale
- ลักษณะ:
- ADC 10BIT 65MSPS 40HVQFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 49663 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ADC1015S065HNC1:5.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ประปาดิจิตอล: | 1.65 V ~ 3.6 V |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน, อะนาล็อก: | 2.85 V ~ 3.4 V, 5V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 40-HVQFN (6x6) |
| ชุด: | - |
| อัตราการสุ่มตัวอย่าง (ต่อวินาที): | 65M |
| ประเภทอ้างอิง: | External, Internal |
| อัตราส่วน - S / H: ADC: | 1:1 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 40-VFQFN Exposed Pad |
| ชื่ออื่น: | 935289067518 ADC1015S065HN,518 ADC1015S065HN,518-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนปัจจัยการผลิต: | 1 |
| จำนวนบิต: | 10 |
| จำนวนตัวแปลงสัญญาณ A / D: | 1 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทขาเข้า: | Differential, Single Ended |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 10 Bit Analog to Digital Converter 1 Input 1 Pipelined 40-HVQFN (6x6) |
| ติดต่อข้อมูล: | LVDS - Parallel, Parallel |
| องค์ประกอบ: | S/H-ADC |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ADC1015S |
| สถาปัตยกรรม: | Pipelined |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ADC1015S065HNC1:5
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC