ADA4857-1YCPZ-R2 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ ADA4857-1YCPZ-R2 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ ADA4857-1YCPZ-R2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ADA4857-1YCPZ-R2 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
ADA4857-1YCPZ-R2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- ADA4857-1YCPZ-R2
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- IC OPAMP VF ULDIST LP LN 8LFCSP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59224 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- ADA4857-1YCPZ-R2.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - จ่าย, เดี่ยว / คู่ (±): | 4.5 V ~ 10.5 V, ±2.25 V ~ 5.25 V |
| แรงดันไฟฟ้าอินพุต - ออฟเซ็ท: | 2mV |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-LFCSP-VD (3x3) |
| อัตราสลูว์: | 2800 V/µs |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-VFDFN Exposed Pad, CSP |
| ประเภทขาออก: | - |
| ชื่ออื่น: | ADA4857-1YCPZ-R2-ND ADA4857-1YCPZ-R2TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Voltage Feedback Amplifier 1 Circuit 8-LFCSP-VD (3x3) |
| ปัจจุบัน - อุปทาน: | 5mA |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 50mA |
| ปัจจุบัน - อคติการป้อนข้อมูล: | 2µA |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | ADA4857 |
| ประเภทเครื่องขยาย: | Voltage Feedback |
| -3dB แบนด์วิดธ์: | 850MHz |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ ADA4857-1YCPZ-R2
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่