AD5142WBCPZ10-RL7 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ AD5142WBCPZ10-RL7 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ AD5142WBCPZ10-RL7 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ AD5142WBCPZ10-RL7 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
AD5142WBCPZ10-RL7
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- AD5142WBCPZ10-RL7
- ผู้ผลิต:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- ลักษณะ:
- IC DGTL POT 2CH 256POS NVM SPI
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 36504 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- AD5142WBCPZ10-RL7.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.3 V ~ 5.5 V, ±2.25 V ~ 2.75 V |
| ความอดทน: | ±8% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ (ชนิด): | 35 ppm/°C |
| เรียวเล็ก: | Linear |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 16-LFCSP-WQ (3x3) |
| ชุด: | - |
| ความต้านทาน - Wiper (Ohms) (Typ): | 55 |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 10k |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 16-WFQFN Exposed Pad, CSP |
| ชื่ออื่น: | AD5142WBCPZ10 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| จำนวนก๊อก: | 256 |
| จำนวนแผงวงจร: | 2 |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ประเภทหน่วยความจำ: | Non-Volatile |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 7 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | SPI |
| คุณลักษณะเด่น: | Cascade Pin |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Digital Potentiometer 10k Ohm 2 Circuit 256 Taps SPI Interface 16-LFCSP-WQ (3x3) |
| องค์ประกอบ: | Potentiometer |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | AD5142 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ AD5142WBCPZ10-RL7
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS