AAT4910IJS-T1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ AAT4910IJS-T1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ AAT4910IJS-T1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ AAT4910IJS-T1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
AAT4910IJS-T1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- AAT4910IJS-T1
- ผู้ผลิต:
- Skyworks Solutions, Inc.
- ลักษณะ:
- IC DRIVER GATE HALF BRIDGE SC70
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 42454 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- AAT4910IJS-T1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| แรงดันไฟฟ้า - โหลด: | 28V (Max) |
| เทคโนโลยี: | Power MOSFET |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SC70JW |
| ชุด: | - |
| Rds On (Typ): | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-TFSOJ (0.069", 1.75mm Width) |
| การกำหนดค่าเอาท์พุท: | Half Bridge |
| ชื่ออื่น: | 863-1558-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 18 Weeks |
| ประเภทการโหลด: | Inductive |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินเตอร์เฟซ: | On/Off |
| คุณลักษณะเด่น: | - |
| การป้องกันความผิดพลาด: | Over Temperature, Shoot-Through |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Half Bridge Driver DC Motors, DC-DC Converters Power MOSFET 8-SC70JW |
| ปัจจุบัน - ยอดส่งออก: | - |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | - |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | AAT4910 |
| การประยุกต์ใช้งาน: | DC Motors, DC-DC Converters |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ AAT4910IJS-T1
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร