A190RM พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ A190RM เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ A190RM ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ A190RM ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
A190RM
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- A190RM
- ผู้ผลิต:
- Powerex, Inc.
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45725 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- A190RM.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.3V @ 250A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 600V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -40°C ~ 200°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis, Stud Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard, Reverse Polarity |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard, Reverse Polarity 600V 250A Chassis, Stud Mount |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 250A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | A190R |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ A190RM
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
A197M | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB | การสอบสวน |
|
A197N | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB | การสอบสวน |
|
A190PB | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT DO-9 | การสอบสวน |
|
A190M | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AA | การสอบสวน |
|
A190RPD | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP REV 1.4KV DO205AB | การสอบสวน |
|
A190N | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AA | การสอบสวน |
|
A190RPB | Powerex, Inc. | RECTIFIER STUD MOUNT DO-9 | การสอบสวน |
|
A190B | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AA | การสอบสวน |
|
A197P | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 | การสอบสวน |
|
A190RD | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB | การสอบสวน |
|
A190RB | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB | การสอบสวน |
|
A190RP | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP REV 1KV DO205AB | การสอบสวน |
|
A190PD | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | การสอบสวน |
|
A190D | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AA | การสอบสวน |
|
A197D | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 300V 250A DO205AB | การสอบสวน |
|
A190RN | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB | การสอบสวน |
|
A197B | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB | การสอบสวน |
|
A190P | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 | การสอบสวน |
|
A190PE | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1.5KV 250A DO205 | การสอบสวน |
|
A190RPE | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP REV 1.5KV DO205AB | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่