8T49N286A-999NLGI พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 8T49N286A-999NLGI เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 8T49N286A-999NLGI ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 8T49N286A-999NLGI ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
8T49N286A-999NLGI
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 8T49N286A-999NLGI
- ลักษณะ:
- IC TRANSLATOR UNIV FREQ VFQFN
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 42581 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 8T49N286A-999NLGI.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 2.375 V ~ 3.465 V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 72-VFQFPN (10x10) |
| ชุด: | FemtoClock® NG |
| อัตราส่วน - การป้อนข้อมูล: เอาท์พุท: | 5:8 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tray |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 72-VFQFN Exposed Pad |
| PLL: | Yes with Bypass |
| เอาท์พุต: | HSCL, LVCMOS, LVDS, LVPECL |
| ชื่ออื่น: | 800-2816 8T49N286-999NLGI 8T49N286A-999NLGI-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนแผงวงจร: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| อินพุต: | HCSL, LVCMOS, LVDSM, LVHSTL, LVPECL, Crystal |
| ความถี่ - แม็กซ์: | 1GHz |
| divider / คูณ: | Yes/No |
| ที่แตกต่างกัน - การป้อนข้อมูล: เอาท์พุท: | Yes/Yes |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 8T49N286 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 8T49N286A-999NLGI
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด