72V36100L6BB8 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 72V36100L6BB8 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 72V36100L6BB8 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 72V36100L6BB8 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
72V36100L6BB8
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 72V36100L6BB8
- ลักษณะ:
- IC FIFO 64X36 6NS 144BGA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 23497 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.72V36100L6BB8.pdf2.72V36100L6BB8.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3.15V ~ 3.45V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 144-PBGA (13x13) |
| ชุด: | 72V |
| ความสามารถในการส่งอีกครั้ง: | Yes |
| สนับสนุนธงตั้งโปรแกรมได้: | Yes |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 144-BGA |
| ชื่ออื่น: | IDT72V36100L6BB8 IDT72V36100L6BB8-ND |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 0°C ~ 70°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
| ขนาดหน่วยความจำ: | 2.25M (64K x 36) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 10 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ฟังก์ชัน: | Synchronous |
| สนับสนุน FWFT: | Yes |
| ประเภทการขยายตัว: | Depth, Width |
| อัตราการส่งข้อมูล: | 166MHz |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 40mA |
| รถบัสทิศทาง: | Uni-Directional |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 72V36100 |
| เวลาในการเข้าถึง: | 4ns |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 72V36100L6BB8
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS