6PS03012E33G34160NOSA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 6PS03012E33G34160NOSA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 6PS03012E33G34160NOSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 6PS03012E33G34160NOSA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
6PS03012E33G34160NOSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 6PS03012E33G34160NOSA1
- ลักษณะ:
- IGBT MODULE 300V 3X 234A
- ปริมาณสต็อค:
- 23262 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 6PS03012E33G34160NOSA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี: | 2V @ 15V, 300A |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | Module |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 2100W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Module |
| ชื่ออื่น: | 6PS03012E33G34160 6PS03012E33G34160-ND SP000724336 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 55°C |
| กทช Thermistor: | No |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| อินพุต: | Standard |
| ประเภท IGBT: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | IGBT Module Three Phase Inverter 2100W Chassis Mount Module |
| องค์ประกอบ: | Three Phase Inverter |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 6PS03012E33G34160NOSA1
ข่าว Latest
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่