6N137S-TA1 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 6N137S-TA1 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 6N137S-TA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 6N137S-TA1 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
6N137S-TA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 6N137S-TA1
- ผู้ผลิต:
- Lite-On, Inc.
- ลักษณะ:
- OPTOISO 5KV 1CH OPEN COLL 8SMD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 51931 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 6N137S-TA1.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 7V |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 5000Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่งต่อ (Vf) (ประเภท): | 1.38V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SMD |
| ชุด: | - |
| เวลาเพิ่มขึ้น / ลดลง (ประเภท): | 22ns, 6.9ns |
| ความล่าช้าในการกระจาย tpLH / tpHL (สูงสุด): | 75ns, 75ns |
| บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SMD, Gull Wing |
| ประเภทขาออก: | Open Collector |
| ชื่ออื่น: | 160-1794-1 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| จำนวนช่อง: | 1 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ปัจจัยการผลิต - ด้าน 1 / ด้านข้าง 2: | 1/0 |
| ประเภทขาเข้า: | DC |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Logic Output Optoisolator 15MBd Open Collector 5000Vrms 1 Channel 10kV/µs CMTI 8-SMD |
| อัตราการส่งข้อมูล: | 15MBd |
| ปัจจุบัน - ออก / ช่องทาง: | 50mA |
| กระแส - DC Forward (ถ้า) (สูงสุด): | 20mA |
| ภูมิคุ้มกันอ่อนแอโหมดทั่วไป (ต่ำสุด): | 10kV/µs |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 6N137S-TA1
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร