602S47W102KV4E พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 602S47W102KV4E เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 602S47W102KV4E ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 602S47W102KV4E ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
602S47W102KV4E
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 602S47W102KV4E
- ผู้ผลิต:
- Johanson Dielectrics, Inc.
- ลักษณะ:
- CAP CER 1000PF 6KV X7R 2220
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35223 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 602S47W102KV4E.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 6000V (6kV) |
| ความอดทน: | ±10% |
| ความหนา (สูงสุด): | 0.150" (3.81mm) |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | X7R |
| ขนาด / มิติ: | 0.225" L x 0.200" W (5.72mm x 5.08mm) |
| ชุด: | - |
| ความนิยม: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 2220 (5750 Metric) |
| ชื่ออื่น: | Q8820856 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount, MLCC |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สไตล์ตะกั่ว: | - |
| เว้นพื้นที่ตัวนำ: | - |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | - |
| คุณลักษณะเด่น: | High Voltage |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 1000pF ±10% 6000V (6kV) Ceramic Capacitor X7R 2220 (5750 Metric) |
| ปริมาตร: | 1000pF |
| การประยุกต์ใช้งาน: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 602S47W102KV4E
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
602019 | Crystek Corporation | OSCILLATOR VCXO 80.000MHZ | การสอบสวน |
 |
602-1436B | Agastat Relays / TE Connectivity | RELAY GEN PURP 5A 1B | การสอบสวน |
 |
602-10001 | Parallax, Inc. | IC EEPROM 512K I2C 1MHZ | การสอบสวน |
 |
602HR050E | Ohmite | RES 0.05 OHM 1/5W 3% AXIAL | การสอบสวน |
 |
602SJR00500E | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 1/4W L BEND | การสอบสวน |
 |
602R2KL.35 | BEI Sensors | SENSOR LINEAR 50.8MM WIRE LEADS | การสอบสวน |
 |
602SJR00300 | Ohmite | RES 0.003 OHM 5% 1/4W L BEND | การสอบสวน |
|
602SJR00300E | Ohmite | RES 0.003 OHM 5% 1/4W L BEND | การสอบสวน |
 |
602SJR00500E-T | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 1/4W L BEND | การสอบสวน |
|
602-00015 | Parallax, Inc. | IC-DIP-8 DUAL OP AMP-LF | การสอบสวน |
|
602-20011 | Parallax, Inc. | IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
602SJR00500 | Ohmite | RES 0.005 OHM 5% 1/4W L BEND | การสอบสวน |
 |
60206 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
602SJR00300E-T | Ohmite | RES 0.003 OHM 5% 1/4W L BEND | การสอบสวน |
|
60205 | Microsemi | RF POWER TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
602-20012 | Parallax, Inc. | IC EEPROM 128K I2C 1MHZ 8SOIC | การสอบสวน |
|
602-00013 | Parallax, Inc. | IC EEPROM 128K I2C 400KHZ 8DIP | การสอบสวน |
|
602-00032 | Parallax, Inc. | IC EEPROM 256K I2C 400KHZ 8DIP | การสอบสวน |
 |
602017 | Crystek Corporation | OSCILLATOR VCXO 122.88MHZ | การสอบสวน |
|
602-00010 | Parallax, Inc. | PARALLEL LOAD 8-BIT SERIAL | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS