532DC000213DGR พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 532DC000213DGR เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 532DC000213DGR ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 532DC000213DGR ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
532DC000213DGR
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 532DC000213DGR
- ผู้ผลิต:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- ลักษณะ:
- DUAL FREQUENCY XO, OE PIN 2
- ปริมาณสต็อค:
- 47081 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 532DC000213DGR.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 3.3V |
| ชนิด: | XO (Standard) |
| ขนาด / มิติ: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| ชุด: | Si532 |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 6-SMD, No Lead |
| เอาท์พุต: | CML |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 85°C |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 4 Weeks |
| ความสูง: | 0.071" (1.80mm) |
| ฟังก์ชัน: | Enable/Disable |
| ความเสถียรของความถี่: | ±7ppm |
| ความถี่ - เอาต์พุต 4: | - |
| ความถี่ - เอาต์พุต 3: | - |
| ความถี่ - ออก 2: | 156.25MHz |
| ความถี่ - ออกที่ 1: | 125MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | CML XO (Standard) Pin Configurable Oscillator 3.3V 6-SMD, No Lead |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (สูงสุด): | 108mA |
| ปัจจุบัน - อุปทาน (ปิดใช้งาน) (สูงสุด): | 75mA |
| ตัวสร้างเสียงฐาน: | Crystal |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 532DC000213DGR
ข่าว Latest
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร