505YG7K พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 505YG7K เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 505YG7K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 505YG7K ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
505YG7K
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 505YG7K
- ผู้ผลิต:
- U.S. Sensor
- ลักษณะ:
- THERMISTOR NTC 5MOHM 4640K DO35
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / RoHS ที่ได้รับการยกเว้น
- ปริมาณสต็อค:
- 36295 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.505YG7K.pdf2.505YG7K.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชุด: | - |
| ความต้านทานต่อ Ohms ที่ 25 ° C: | 5M |
| ต้านทานความคลาดเคลื่อนยินยอม: | ±10% |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| ชื่ออื่น: | Q11501065B |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 300°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ความยาว - ลวดตะกั่ว: | 1.00" (25.40mm) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS compliant by exemption |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | NTC Thermistor 5M DO-204AH, DO-35, Axial |
| B25 / 85: | - |
| B25 / 75: | - |
| B25 / 50: | - |
| B25 / 100: | - |
| B0 / 50: | 4640K |
| ความอดทน B คุ้มค่า: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 505YG7K
ข่าว Latest
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์