4308R-101-202 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 4308R-101-202 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 4308R-101-202 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 4308R-101-202 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
4308R-101-202
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 4308R-101-202
- ผู้ผลิต:
- Bourns, Inc.
- ลักษณะ:
- RES ARRAY 7 RES 2K OHM 8SIP
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 35871 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.4308R-101-202.pdf2.4308R-101-202.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ความอดทน: | ±2% |
| ค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิ: | ±100ppm/°C |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SIP |
| ขนาด / มิติ: | 0.784" L x 0.085" W (19.91mm x 2.16mm) |
| ชุด: | 4300R |
| ต้านทานอัตราส่วน-ดริฟท์: | 50 ppm/°C |
| อัตราส่วนการจับคู่ตัวต้านทาน: | - |
| ต้านทาน (โอห์ม): | 2k |
| อำนาจต่อธาตุ: | 200mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SIP |
| ชื่ออื่น: | 4308R-1-202 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| จำนวนตัวต้านทาน: | 7 |
| จำนวนพิน: | 8 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 7 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.195" (4.95mm) |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 2k Ohm ±2% 200mW Power Per Element Bussed 7 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 8-SIP |
| ประเภทแผงวงจร: | Bussed |
| การประยุกต์ใช้งาน: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 4308R-101-202
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?
- หน่วยความจำแฟลช NAND ยังคงดำเนินต่อไป MCU Destocking Bottom ถูกต้อง
- ภายใต้ AI Air Outlet ยักษ์ใหญ่ชิปสองตัวคือ "ไม่แข็งแกร่ง": ทุบเงินเพื่อทำลายเกมเดิมพันในการต่อสู้ทีม 2025