3613CR22M พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 3613CR22M เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 3613CR22M ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 3613CR22M ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
3613CR22M
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 3613CR22M
- ผู้ผลิต:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- ลักษณะ:
- FIXED IND 220NH 665MA 250 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 42764 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1.3613CR22M.pdf2.3613CR22M.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | 1812 |
| การใช้: | Unshielded |
| ชนิด: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| ชุด: | 3613C, Sigma Inductors |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ความนิยม: | - |
| โพลาไรซ์: | 1812 (4532 Metric) |
| ชื่ออื่น: | 2-1624094-2 2-1624094-2-ND 216240942 A102539TR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -30°C ~ 100°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 20 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 3613CR22M |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.134" (3.40mm) |
| ประเภทอุปกรณ์: | 220nH |
| ความถี่ - การทดสอบ: | 200MHz |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 250 mOhm Max |
| ขยายคำอธิบาย: | 220nH Unshielded Inductor 665mA 250 mOhm Max 1812 (4532 Metric) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±20% |
| เส้นผ่าศูนย์กลาง - ไหล่: | 40 @ 25.2MHz |
| ลักษณะ: | FIXED IND 220NH 665MA 250 MOHM |
| ระยะเวลาที่ล่าช้า: | 25.2MHz |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | - |
| พิกัดกระแส: | 665mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | Ferrite |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 3613CR22M
ข่าว Latest
- แขนปรากฏใน Computex 2024: คาดว่าจะใช้อุปกรณ์ ARM มากกว่า 100 พันล้านเครื่องสำหรับ AI ภายในสิ้นปี 2568
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด