2SA1313-Y,LF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 2SA1313-Y,LF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 2SA1313-Y,LF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2SA1313-Y,LF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
2SA1313-Y,LF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 2SA1313-Y,LF
- ลักษณะ:
- TRANS PNP 50V 0.5A SMINI
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 57044 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 2SA1313-Y,LF.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 500mA |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | S-Mini |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 50V |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม): | 200MHz |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 200mW |
| โพลาไรซ์: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| ชื่ออื่น: | 2SA1313-Y(TE85L,F) 2SA1313-Y(TE85LF) 2SA1313-Y(TE85LF)-ND 2SA1313-Y(TE85LF)TR 2SA1313-Y(TE85LF)TR-ND 2SA1313-Y,LF(B 2SA1313-Y,LF(T 2SA1313-YLFTR 2SA1313-YTE85LF 2SA1313YTE85LF |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 2SA1313-Y,LF |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | 120 @ 100mA, 1V |
| ขยายคำอธิบาย: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini |
| ลักษณะ: | TRANS PNP 50V 0.5A SMINI |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 100nA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 250mV @ 10mA, 100mA |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | PNP |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2SA1313-Y,LF
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU
- Melexis เปิดตัวชิปสวิตช์ตัวเหนี่ยวนำแบบครบวงจร
- X-FAB แนะนำเทคโนโลยีการส่องสว่างเซ็นเซอร์ด้านหลังเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพเซ็นเซอร์ CMOS
- โรงงานชิปขนาดใหญ่ได้รับผลกระทบจากแผ่นดินไหว: TSMC หยุดทำงานอย่างเร่งด่วนทำให้การจัดหา GPU รุนแรงขึ้นในระยะสั้นหรือไม่?