ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > 2N6798
2N6798
2N6798
รุ่นผลิตภัณฑ์:
2N6798
ผู้ผลิต:
Microsemi
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V TO-205AF TO-39
สถานะตะกั่วฟรี:
ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
ปริมาณสต็อค:
33559 Pieces
เวลาจัดส่ง:
1-2 days
เวลานำ:
4-8 weeks
แผ่นข้อมูล:
2N6798.pdf
การสอบสวน

บทนำ

2N6798 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 2N6798 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 2N6798 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2N6798 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]

ขนาด

เงื่อนไข New & Original, tested
ประเทศต้นกำเนิด Contact us
รหัสการทำเครื่องหมาย Send by email
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-39
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 3.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):800mW (Ta), 25W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-205AF Metal Can
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:5.29nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
คำอธิบายโดยละเอียด:N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:5.5A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2N6798

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
2N6788 Image 2N6788 Microsemi MOSFET N-CH 100V TO-205AF การสอบสวน
2N6784U Microsemi MOSFET N-CH 200V 18LCC การสอบสวน
2N6790 Image 2N6790 Microsemi MOSFET N-CH 200V TO-205AF การสอบสวน
2N6782U Microsemi MOSFET N-CH 100V 18LCC การสอบสวน
2N682A Central Semiconductor SCR THYRISTOR TO48 การสอบสวน
2N6798U Microsemi MOSFET N-CH 200V 18LCC การสอบสวน
2N6802U Microsemi MOSFET N-CH 500V 18LCC การสอบสวน
2N6796 Image 2N6796 Microsemi MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39 การสอบสวน
2N6784 Image 2N6784 Microsemi MOSFET N-CH 200V TO-205AF การสอบสวน
2N6796U Microsemi MOSFET N-CH 100V 18LCC การสอบสวน
2N6804 Microsemi MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 การสอบสวน
2N681A Central Semiconductor SCR THYRISTOR TO48 การสอบสวน
2N681 Central Semiconductor SCR THYRISTOR TO48 การสอบสวน
2N6800U Microsemi MOSFET N-CH 400V 18LCC การสอบสวน
2N682 Central Semiconductor SCR THYRISTOR TO48 การสอบสวน
2N6788U Microsemi MOSFET N-CH 100V 18LCC การสอบสวน
2N6782 Image 2N6782 Microsemi MOSFET N-CH 100V TO-205AF การสอบสวน
2N6800 Image 2N6800 Microsemi MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39 การสอบสวน
2N6802 Image 2N6802 Microsemi MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 การสอบสวน
2N6790U Microsemi MOSFET N-CH 200V 18LCC การสอบสวน

ข่าว Latest