2N5014S พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 2N5014S เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 2N5014S ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2N5014S ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
2N5014S
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 2N5014S
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- TRANSISTOR NPN TO-39
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 45770 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 2N5014S.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด): | 900V |
| VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 5mA, 20mA |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | NPN |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-39 (TO-205AD) |
| ชุด: | Military, MIL-PRF-19500/727 |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 1W |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | Not Applicable |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความถี่ - การเปลี่ยน: | - |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 200mA 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE: | 30 @ 20mA, 10V |
| ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด): | 10nA (ICBO) |
| ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2N5014S
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
2N5015S | Microsemi | TRANSISTOR NPN TO-39 | การสอบสวน |
|
2N5051 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5013 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5004 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5013S | Microsemi | TRANSISTOR NPN TO-39 | การสอบสวน |
|
2N5050 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5031 | Microsemi | TRANS RF NPN 200MW 20MA TO72 | การสอบสวน |
|
2N5011 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5052 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5012S | Microsemi | TRANSISTOR NPN TO-39 | การสอบสวน |
 |
2N5060 | Central Semiconductor | SCR 0.8A 30V TO-92 | การสอบสวน |
|
2N5012 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5015 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5005 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5003 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5014 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
 |
2N5058 | Central Semiconductor | TRANS NPN 300V 0.15A TO-39 | การสอบสวน |
 |
2N5038G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | TRANS NPN 90V 20A TO3 | การสอบสวน |
|
2N5039 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
|
2N5010 | Microsemi | NPN SILICON TRANSISTOR | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ