2N4340 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 2N4340 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 2N4340 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2N4340 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
2N4340
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 2N4340
- ผู้ผลิต:
- Central Semiconductor
- ลักษณะ:
- JFET N-CH 50V TO18
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 22789 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 2N4340.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - การทดสอบ: | 15V |
| แรงดันไฟฟ้า - ที่ยอดนิยม: | 50V |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | N-Channel JFET |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-18 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - เอาท์พุท: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| ชื่ออื่น: | 2N4340 LEAD FREE 2N4340 PBFREE |
| เสียงรบกวนเต็มตัว: | 1dB |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ได้รับ: | - |
| ความถี่: | 1kHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | RF Mosfet N-Channel JFET 15V 1kHz TO-18 |
| พิกัดกระแส: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2N4340
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
2N4367 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 1200V 70A TO-94 | การสอบสวน |
 |
2N4300 | Microsemi | PNP TRANSISTOR | การสอบสวน |
 |
2N4339-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | การสอบสวน |
|
2N4365 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 800V 70A TO-94 | การสอบสวน |
 |
2N4264 | Central Semiconductor | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | การสอบสวน |
|
2N4339 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | การสอบสวน |
|
2N4366 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 1000V 70A TO-94 | การสอบสวน |
|
2N4261UB | Microsemi | TRANS PNP 15V 0.03A | การสอบสวน |
|
2N4364 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 600V 70A TO-94 | การสอบสวน |
|
2N4362 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 200V 70A TO-94 | การสอบสวน |
|
2N4261 | Microsemi | TRANS PNP 15V 0.03A TO-72 | การสอบสวน |
|
2N4339-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA | การสอบสวน |
|
2N4371 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 100V 70A TO-94 | การสอบสวน |
|
2N4372 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 200V 70A TO-94 | การสอบสวน |
|
2N4338-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA | การสอบสวน |
|
2N4338 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA | การสอบสวน |
|
2N4338-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA | การสอบสวน |
|
2N4368 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 1400V 70A TO-94 | การสอบสวน |
|
2N4363 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 400V 70A TO-94 | การสอบสวน |
|
2N4361 | Powerex, Inc. | THYRISTOR STUD 100V 70A TO-94 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง