2643167751 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 2643167751 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 2643167751 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 2643167751 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
2643167751
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 2643167751
- ผู้ผลิต:
- Fair-Rite Products Corp.
- ลักษณะ:
- FERRITE 115OHM CLIP 65.28X0.84MM
- ปริมาณสต็อค:
- 41465 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 2643167751.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | Flat |
| ชุด: | - |
| ความนิยม: | - |
| มิติด้านนอก: | 3.000" W x 0.250" H (76.20mm x 6.35mm) |
| ชื่ออื่น: | 1934-1157 |
| ประเภทการติดตั้ง: | Free Hanging |
| วัสดุ: | 43 |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| ความยาว: | 0.500" (12.70mm) |
| มิติข้อมูลภายใน: | 2.570" W x 0.033" H (65.28mm x 0.84mm) |
| ความต้านทาน @ ความถี่: | 115 Ohm @ 100MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Clip Together (Order Qty 2=1 Assembly) Free Hanging Ferrite Core 115 Ohm @ 100MHz ID 2.570" W x 0.033" H (65.28mm x 0.84mm) OD 3.000" W x 0.250" H (76.20mm x 6.35mm) Length 0.500" (12.70mm) |
| ออกแบบ: | Clip Together (Order Qty 2=1 Assembly) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 2643167751
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น