1N4913 พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 1N4913 เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 1N4913 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1N4913 ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
1N4913
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 1N4913
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 59542 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1N4913.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 12.8V |
| ความอดทน: | ±5% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-7 |
| ชุด: | - |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 400mW |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-204AA, DO-7, Axial |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -25°C ~ 100°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT): | 25 Ohms |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Zener Diode 12.8V 400mW ±5% Through Hole DO-7 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 1N4913
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
1N4917 | Microsemi | DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 | การสอบสวน |
 |
1N4910 | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4909A | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4914A | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4908A | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4913A | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4914 | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4915 | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4911 | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4915A | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4916 | Microsemi | DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 | การสอบสวน |
|
1N4917A | Microsemi | DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 | การสอบสวน |
|
1N4908 | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4911A | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4916A | Microsemi | DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 | การสอบสวน |
|
1N4910A | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4912A | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4912 | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4909 | Microsemi | DIODE ZENER 12.8V 400MW DO7 | การสอบสวน |
|
1N4918 | Microsemi | DIODE ZENER 19.2V 500MW DO35 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น
- Ruisa เปิดตัว RA0 ซีรี่ส์ใหม่ Ultra -low Power Entry -level MCU