1N3293R พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 1N3293R เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 1N3293R ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1N3293R ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
1N3293R
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 1N3293R
- ผู้ผลิต:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- ลักษณะ:
- DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 21572 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1N3293R.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - ส่ง (Vf) (สูงสุด) @ หาก: | 1.5V @ 100A |
| แรงดันไฟฟ้า - ดีซี (Reverse VR) ที่ (สูงสุด): | 600V |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DO-205AA (DO-8) |
| ความเร็ว: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| ชุด: | - |
| บรรจุภัณฑ์: | Bulk |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DO-205AA, DO-8, Stud |
| ชื่ออื่น: | *1N3293R |
| อุณหภูมิในการทำงาน - Junction: | -40°C ~ 200°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis, Stud Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ประเภทไดโอด: | Standard |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Diode Standard 600V 100A Chassis, Stud Mount DO-205AA (DO-8) |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 17mA @ 600V |
| ปัจจุบัน - เฉลี่ย Rectified (ไอโอ): | 100A |
| การประจุกระแสไฟ @ Vr, F: | - |
| หมายเลขชิ้นส่วนพื้นฐาน: | 1N3293 |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 1N3293R
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
1N3293AR | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
|
1N3293 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
|
1N3293R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
 |
1N3294AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
1N3293A | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
|
1N3294R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
 |
1N3293A | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
1N3293A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | การสอบสวน |
 |
1N3293 | Electro-Films (EFI) / Vishay | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
1N3295A | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 1KV 100A DO205 | การสอบสวน |
|
1N3295A | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
|
1N3295 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
|
1N3292B | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
|
1N3294A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
1N3294 | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
|
1N3293AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
1N3294AR | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
1N3294A | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 800V 100A DO205AA | การสอบสวน |
|
1N3292R | Microsemi | STANDARD RECTIFIER | การสอบสวน |
|
1N3293AR | Powerex, Inc. | DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย