1N2804A พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 1N2804A เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 1N2804A ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1N2804A ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
1N2804A
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 1N2804A
- ผู้ผลิต:
- Microsemi
- ลักษณะ:
- DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 29692 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1N2804A.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - แยก: | 0.2 Ohm |
| แรงดันไฟฟ้า - พังทลาย: | TO-204AD (TO-3) |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | Bulk |
| เพาเวอร์ - แม็กซ์: | 50W |
| โพลาไรซ์: | TO-204AD |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -65°C ~ 175°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | 1N2804A |
| ความต้านทาน (สูงสุด) (ZZT): | 6.8V |
| ขยายคำอธิบาย: | Zener Diode 50W ±10% Through Hole TO-204AD (TO-3) |
| ESR (ต้านทานอนุกรมเทียบเท่า): | ±10% |
| การกำหนดค่าไดโอด: | 150µA @ 4.5V |
| ลักษณะ: | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD |
| ปัจจุบัน - รั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1.5V @ 10A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 1N2804A
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
1N2133A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 300V 60A DO5 | การสอบสวน |
|
1N2135A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 60A DO5 | การสอบสวน |
|
1N2137A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 500V 60A DO5 | การสอบสวน |
|
1N2135AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 400V 60A DO5 | การสอบสวน |
|
1N2137AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 500V 60A DO5 | การสอบสวน |
 |
1N2806B | Microsemi | DIODE ZENER 8.2V 50W TO204AD | การสอบสวน |
|
1N2807B | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V 50W TO204AD | การสอบสวน |
|
1N2806RB | Microsemi | DIODE ZENER 8.2V 50W TO204AD | การสอบสวน |
 |
1N2138AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 600V 60A DO5 | การสอบสวน |
|
1N2806A | Microsemi | DIODE ZENER 8.2V 50W TO204AD | การสอบสวน |
|
1N2805RB | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V 50W TO204AD | การสอบสวน |
|
1N2804B | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD | การสอบสวน |
|
1N2804RB | Microsemi | DIODE ZENER 6.8V 50W TO204AD | การสอบสวน |
|
1N2805A | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V 50W TO204AD | การสอบสวน |
 |
1N276 BK | Central Semiconductor | DIODE GEN PURP 50V 40MA DO7 | การสอบสวน |
 |
1N2138A | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 60A DO5 | การสอบสวน |
|
1N2133AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 300V 60A DO5 | การสอบสวน |
 |
1N2131AR | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP REV 200V 60A DO5 | การสอบสวน |
|
1N2805B | Microsemi | DIODE ZENER 7.5V 50W TO204AD | การสอบสวน |
|
1N2807A | Microsemi | DIODE ZENER 9.1V 50W TO204AD | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Qorvo เปิดตัวระดับสูงที่ยอดเยี่ยมของอุตสาหกรรมระดับสูง 5G MMIMO Preliminaries
- วงจรการจำลองสินค้าคงคลังด้านล่าง AI จะขับเคลื่อนความต้องการหน่วยความจำแฟลชยังคงดำเนินต่อไป
- แผนการของไมครอนในการสร้างโรงงานหน่วยความจำแฟลช NAND ในราคาสูงหรือการบำรุงรักษา
- ประสิทธิภาพของ ADI ลดลงพื้นผิวฟอยล์ทองแดงได้เพิ่มขึ้นการจัดเก็บการจัดเก็บของโรงงานดั้งเดิมเพิ่มการผลิตอนุรักษ์นิยม
- คลื่นของสติปัญญาในรถกำลังจะมาและ Aimus Oslang ช่วย Sagita Juguang ปล่อย MX LiDar
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC