1865-05G-KDN พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 1865-05G-KDN เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 1865-05G-KDN ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1865-05G-KDN ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
1865-05G-KDN
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 1865-05G-KDN
- ลักษณะ:
- SENSOR FORCE/PRES 0-25PSIG 10VDC
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 22998 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1865-05G-KDN.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 0 V ~ 15 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | - |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ชุด: | 1865 |
| ประเภทแรงดัน: | Vented Gauge |
| สไตล์พอร์ต: | No Port |
| ท่าเรือขนาด: | - |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-DIP Module |
| ประเภทขาออก: | Wheatstone Bridge |
| เอาท์พุต: | 0 V ~ 7.5 V |
| ชื่ออื่น: | 186505GKDN 480-2628 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -28°C ~ 54°C |
| ความดันการดำเนินงาน: | 25 PSI (172.37 kPa) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ความดันสูงสุด: | 60 PSI (413.69 kPa) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| คุณลักษณะเด่น: | Temperature Compensated |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor 25 PSI (172.37 kPa) Vented Gauge 0 V ~ 7.5 V 8-DIP Module |
| ความถูกต้อง: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 1865-05G-KDN
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด