103R-331HS พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 103R-331HS เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 103R-331HS ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 103R-331HS ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
103R-331HS
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 103R-331HS
- ผู้ผลิต:
- API Delevan
- ลักษณะ:
- FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM
- สถานะตะกั่วฟรี:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณสต็อค:
- 31280 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 103R-331HS.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| ชนิด: | - |
| ความอดทน: | ±3% |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ขนาด / มิติ: | 0.100" L x 0.100" W (2.54mm x 2.54mm) |
| การป้องกัน: | Unshielded |
| ชุด: | 103R |
| ความนิยม: | - |
| Q @ ความถี่: | 25 @ 25MHz |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | Nonstandard, 2 Lead |
| ชื่ออื่น: | 103R-331HS TR 2000 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 125°C |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| วัสดุ - คอร์: | Ferrite |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 13 Weeks |
| สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| ความถี่เหนี่ยวนำ - การทดสอบ: | 25MHz |
| การเหนี่ยวนำ: | 330nH |
| ความสูง - นั่ง (สูงสุด): | 0.075" (1.91mm) |
| ความถี่ - พ้องในตัวเอง: | 300MHz |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | 330nH Unshielded Inductor 645mA 235 mOhm Max Nonstandard, 2 Lead |
| ทนทานกระแสไฟตรง (DCR): | 235 mOhm Max |
| พิกัดกระแส: | 645mA |
| ปัจจุบัน - อิ่มตัว: | - |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 103R-331HS
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
103R-331J | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-330MS | API Delevan | FIXED IND 33NH 900MA 120 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-332H | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 260MA 1.4 OHM | การสอบสวน |
|
103R-332F | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 260MA 1.4 OHM | การสอบสวน |
|
103R-332HS | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 260MA 1.4 OHM | การสอบสวน |
|
103R-331K | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-330KS | API Delevan | FIXED IND 33NH 900MA 120 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-331G | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-331FS | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-330K | API Delevan | FIXED IND 33NH 900MA 120 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-331H | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-332G | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 260MA 1.4 OHM | การสอบสวน |
|
103R-330JS | API Delevan | FIXED IND 33NH 900MA 120 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-331JS | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-332GS | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 260MA 1.4 OHM | การสอบสวน |
|
103R-332FS | API Delevan | FIXED IND 3.3UH 260MA 1.4 OHM | การสอบสวน |
|
103R-331KS | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-331F | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-330M | API Delevan | FIXED IND 33NH 900MA 120 MOHM | การสอบสวน |
|
103R-331GS | API Delevan | FIXED IND 330NH 645MA 235 MOHM | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- กำลังการผลิต HBM ไม่รวมหน่วยความจำ DRAM อาจขาดแคลนในช่วงครึ่งหลังของปี
- ผู้ก่อตั้งกำแพงจะสิ้นสุด HBM หรือทำให้ DRAM เพิ่มขึ้นอีกครั้ง
- ความต้องการการขยายตัวของโทรศัพท์มือถือ AI และพีซีการปรับปรุงอุตสาหกรรมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ทั่วโลก
- ทำความเข้าใจกับความต้องการของ ADAS และระบบตรวจสอบห้องโดยสารสำหรับเซ็นเซอร์ภาพความปลอดภัยเครือข่าย
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด