1 PSI-D-4V-PRIME-REF พร้อมใช้งานแล้ว!LYNTEAM Technology เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงน่องสำหรับ 1 PSI-D-4V-PRIME-REF เรามีสต็อกสำหรับการจัดส่งทันทีและมีให้สำหรับการจัดหาเป็นเวลานานกรุณาส่งแผนการซื้อของคุณสำหรับ 1 PSI-D-4V-PRIME-REF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ 1 PSI-D-4V-PRIME-REF ด้วย LYNTEAM ประหยัดเงินและเวลาของคุณ
อีเมลของเรา: [email protected]
1 PSI-D-4V-PRIME-REF
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- 1 PSI-D-4V-PRIME-REF
- ผู้ผลิต:
- All Sensors Corporation
- ลักษณะ:
- SENSOR 1PSID 4V-REF DUAL
- สถานะตะกั่วฟรี:
- RoHS ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด
- ปริมาณสต็อค:
- 49970 Pieces
- เวลาจัดส่ง:
- 1-2 days
- เวลานำ:
- 4-8 weeks
- แผ่นข้อมูล:
- 1 PSI-D-4V-PRIME-REF.pdf
บทนำ
ขนาด
| เงื่อนไข | New & Original, tested |
|---|---|
| ประเทศต้นกำเนิด | Contact us |
| รหัสการทำเครื่องหมาย | Send by email |
| แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน: | 5.5 V ~ 16 V |
| รูปแบบการสิ้นสุด: | PCB |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | - |
| ชุด: | - |
| สถานะ RoHS: | RoHS non-compliant |
| ประเภทแรงดัน: | Differential |
| สไตล์พอร์ต: | Barbless |
| ท่าเรือขนาด: | Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 4-SIP Module |
| ประเภทขาออก: | Analog Voltage |
| เอาท์พุต: | 0.25 V ~ 4.25 V |
| ชื่ออื่น: | 1PSI-D-4VPRIMEREF |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 125°C |
| ความดันการดำเนินงาน: | ±1 PSI (±6.89 kPa) |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ความดันสูงสุด: | ±5 PSI (±34.47 kPa) |
| คุณลักษณะเด่น: | Amplified Output, Temperature Compensated |
| คำอธิบายโดยละเอียด: | Pressure Sensor ±1 PSI (±6.89 kPa) Differential Male - 0.19" (4.8mm) Tube, Dual 0.25 V ~ 4.25 V 4-SIP Module |
| ความถูกต้อง: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ 1 PSI-D-4V-PRIME-REF
ข่าว Latest
- มีข่าวลือว่า Samsung และ SK Hynix หยุด DDR3 และใบเสนอราคาโปรโมชั่นเพิ่มขึ้น 20 %
- Melexis เปิดตัว MLX90427: การควบคุมสายไปยังตัวเลือกใหม่ปลอดภัยมีประสิทธิภาพและประหยัด
- รายงานทางการเงินของ NXP และ Ansonmei ประกาศและราคาของราคาทองแดงจะถูกส่งไปยังอุตสาหกรรม IC
- Moels Micro Electronics ได้จัดตั้งสำนักงานใหม่ในไต้หวันประเทศจีนเพื่อขยายอาณาเขตธุรกิจ
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- รายงานทางการเงินในไตรมาสแรกของ SEF Semiconductor (ST) ลดลงและความต้องการรถยนต์ก็ชะลอตัวลง
- ประสิทธิภาพของ Texas Instruments ยังคงเพิ่มขึ้นและโรงงานจัดเก็บข้อมูลสองแห่งผลักดันผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชใหม่
- ปริมาณชิปสำหรับผู้ใหญ่ในท้องถิ่นความสามารถในการผลิตหน่วยความจำ Samsung Nand Flash ใกล้โหลด
- Vishay เปิดตัวบรรจุภัณฑ์ขนาดเล็กความสว่างสูงสีน้ำเงินและสีเขียวบริสุทธิ์บริสุทธิ์
- Ansonmei เปิดตัวเซ็นเซอร์ตำแหน่งอุปนัยสำหรับตลาดอุตสาหกรรมและการขนส่ง
- Ruisa เริ่มต้นโรงงานเก่าเพื่อเพิ่มอุปกรณ์พลังงานแผ่นดินไหวส่งผลกระทบต่อการส่งออก DRAM เล็กน้อย
- Microchip ช่วยให้กำลังการผลิตของ TSMC และเพิ่มราคาเพิ่มขึ้น