VBO13-12AO2 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для VBO13-12AO2, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для VBO13-12AO2 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить VBO13-12AO2 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
VBO13-12AO2
- Тип продуктов:
- VBO13-12AO2
- производитель:
- IXYS Corporation
- Описание:
- DIODE BRIDGE 18A 1200V 1PH FO-A
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 35202 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- VBO13-12AO2.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - Пиковое обратное (Макс): | 1.2kV |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.8V @ 55A |
| Технологии: | Avalanche |
| Поставщик Упаковка устройства: | FO-A |
| Серии: | - |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | 4-Square, FO-A |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | QC Terminal |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 32 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Single Phase |
| Подробное описание: | Bridge Rectifier Single Phase Avalanche 1.2kV QC Terminal FO-A |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 300µA @ 1200V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 18A |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для VBO13-12AO2
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
VBO13-16AO2 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT SGL PHASE AVALANCHE | запрос |
 |
VBO13-16NO2 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT SGL PHASE 1600V 18A | запрос |
|
VBO13-14AO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 18A 1400V 1PH FO-A | запрос |
 |
VBO130-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 122A 1400V FO-A | запрос |
|
VBO130-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 122A 1800V FO-A | запрос |
|
VBO105-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 1600V 107A PWS-C | запрос |
|
VBO105-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 1800V 107A PWS-C | запрос |
|
VBO130-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 122A 1600V FO-A | запрос |
|
VBO125-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 1400V PWS-C | запрос |
|
VBO130-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 122A 1200V FO-A | запрос |
|
VBO125-16NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 1600V PWS-C | запрос |
|
VBO13-12NO2 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT SGL PHASE 1200V 18A | запрос |
|
VBO125-08NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 800V PWS-C | запрос |
|
VBO105-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 1200V 107A PWS-C | запрос |
|
VBO13-08NO2 | IXYS Corporation | BRIDGE RECT SGL PHASE 800V 18A | запрос |
|
VBO130-08NO7 | IXYS Corporation | BRIDGE RECTIFIER SINGLE PHASE | запрос |
|
VBO105-14NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 1400V 107A PWS-C | запрос |
|
VBO125-18NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 1800V PWS-C | запрос |
|
VBO13-14NO2 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 18A 1400V 1PH FO-A | запрос |
|
VBO125-12NO7 | IXYS Corporation | DIODE BRIDGE 124A 1200V PWS-C | запрос |
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки