UCC21520QDWRQ1 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для UCC21520QDWRQ1, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для UCC21520QDWRQ1 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить UCC21520QDWRQ1 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
UCC21520QDWRQ1
- Тип продуктов:
- UCC21520QDWRQ1
- производитель:
- TI
- Описание:
- 4A/6A 5KVRMS DUAL ISOLATED-CHAN
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 21181 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- UCC21520QDWRQ1.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение тока - поставка: | 3 V ~ 18 V |
| Напряжение - Изоляция: | 5700Vrms |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Тип): | - |
| Технологии: | Capacitive Coupling |
| Поставщик Упаковка устройства: | 16-SOIC |
| Серии: | - |
| Время нарастания / спада (Typ): | 6ns, 7ns |
| Искажение ширины импульса (макс.): | 6ns |
| Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.): | 30ns, 30ns |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Другие названия: | 296-50181-2 UCC21520QDWRQ1-ND |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 125°C |
| Количество каналов: | 2 |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Стандартное время изготовления: | 40 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | Gate Driver Capacitive Coupling 5700Vrms 2 Channel 16-SOIC |
| Ток - Пик Выходной: | - |
| Ток - Выходной High, Low: | 4A, 6A |
| Переходный импеданс синфазного сигнала (мин.): | 100V/ns |
| Утверждения: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для UCC21520QDWRQ1
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки