TPN5900CNH,L1Q
TPN5900CNH,L1Q
Тип продуктов:
TPN5900CNH,L1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
43746 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
TPN5900CNH,L1Q.pdf

Введение

TPN5900CNH,L1Q теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для TPN5900CNH,L1Q, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для TPN5900CNH,L1Q по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить TPN5900CNH,L1Q с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 200µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Серии:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:59 mOhm @ 4.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):700mW (Ta), 39W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:8-PowerVDFN
Другие названия:TPN5900CNH,L1Q(M
TPN5900CNHL1QTR
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:600pF @ 75V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:7nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):150V
Подробное описание:N-Channel 150V 9A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости