TPC8051-H(TE12L,Q) теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для TPC8051-H(TE12L,Q), у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для TPC8051-H(TE12L,Q) по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить TPC8051-H(TE12L,Q) с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
TPC8051-H(TE12L,Q)
- Тип продуктов:
- TPC8051-H(TE12L,Q)
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Описание:
- MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 30893 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- 1.TPC8051-H(TE12L,Q).pdf2.TPC8051-H(TE12L,Q).pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.3V @ 1mA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Серии: | U-MOSVI-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.7 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 1W (Ta) |
| упаковка: | Original-Reel® |
| Упаковка /: | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Другие названия: | TPC8051-HTE12LQDKR |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 7540pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 85nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 80V |
| Подробное описание: | N-Channel 80V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 13A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для TPC8051-H(TE12L,Q)
Latest Новости
- Производительность ADI снижается, подложки медной фольги выросли, хранение оригинального увеличения заводов по производству консервативного
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился