TK7J90E,S1E
TK7J90E,S1E
Тип продуктов:
TK7J90E,S1E
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
32742 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
TK7J90E,S1E.pdf

Введение

TK7J90E,S1E теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для TK7J90E,S1E, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для TK7J90E,S1E по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить TK7J90E,S1E с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 700µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-3P(N)
Серии:π-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 3.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):200W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-3P-3, SC-65-3
Другие названия:TK7J90E,S1E(S
TK7J90ES1E
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1350pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:32nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):900V
Подробное описание:N-Channel 900V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:7A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости