TK14C65W,S1Q
TK14C65W,S1Q
Тип продуктов:
TK14C65W,S1Q
производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Описание:
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
37359 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
TK14C65W,S1Q.pdf

Введение

TK14C65W,S1Q теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для TK14C65W,S1Q, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для TK14C65W,S1Q по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить TK14C65W,S1Q с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:3.5V @ 690µA
Vgs (макс.):±30V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:I2PAK
Серии:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:250 mOhm @ 6.9A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):130W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Другие названия:TK14C65W,S1Q(S
TK14C65W,S1Q(S2
TK14C65W,S1Q-ND
TK14C65WS1Q
Рабочая Температура:150°C (TJ)
Тип установки:Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1300pF @ 300V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:35nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):650V
Подробное описание:N-Channel 650V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:13.7A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости