STL220N3LLH7 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для STL220N3LLH7, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для STL220N3LLH7 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить STL220N3LLH7 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
STL220N3LLH7
- Тип продуктов:
- STL220N3LLH7
- производитель:
- STMicroelectronics
- Описание:
- MOSFET N-CH 30V 220A POWERFLAT56
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 20540 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- STL220N3LLH7.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | PowerFlat™ (5x6) |
| Серии: | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 mOhm @ 25A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 113W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 8-PowerVDFN |
| Другие названия: | 497-14968-2 |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 8650pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 46nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | N-Channel 30V 220A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 220A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для STL220N3LLH7
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
STL19N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT | запрос |
|
STL22N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV | запрос |
 |
STL20DNF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET 2NCH 60V 20A POWERFLAT | запрос |
|
STL23NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT | запрос |
 |
STL20NF06LAG | STMicroelectronics | MOSFET NCH 60V 20A POWERFLAT | запрос |
|
STL225N6F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT | запрос |
|
STL220N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 260A 8PWRFLAT | запрос |
|
STL24N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 14A POWERFLAT | запрос |
|
STL23NM50N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 | запрос |
|
STL24N60DM2 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP., | запрос |
|
STL200N45LF7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT | запрос |
 |
STL23NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 | запрос |
 |
STL20N6F7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 100A | запрос |
 |
STL20DN10F7 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 | запрос |
|
STL210N4F7AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT | запрос |
|
STL21N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 | запрос |
|
STL24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLAT | запрос |
|
STL20NM20N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 20A PWRFLAT6X5 | запрос |
|
STL24NM60N | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT | запрос |
|
STL19N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT | запрос |
Latest Новости
- План Micron по строительству завода, флэш -памяти NAND по высоким ценам или обслуживанию
- Производительность ADI снижается, подложки медной фольги выросли, хранение оригинального увеличения заводов по производству консервативного
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти