SSRD8620CTRG-VF01 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SSRD8620CTRG-VF01, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SSRD8620CTRG-VF01 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SSRD8620CTRG-VF01 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
SSRD8620CTRG-VF01
- Тип продуктов:
- SSRD8620CTRG-VF01
- производитель:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Описание:
- DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 47135 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- SSRD8620CTRG-VF01.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.15V @ 3A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 200V |
| Поставщик Упаковка устройства: | DPAK |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | SWITCHMODE™ |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 75ns |
| упаковка: | Tube |
| Упаковка /: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Другие названия: | SSRD8620CTRG SSRD8620CTRG-ND SSRD8620CTRG-VF |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 2 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Диод Конфигурация: | 1 Pair Common Anode |
| Подробное описание: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 1µA @ 200V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode): | 3A |
| Номер базового номера: | MSRD620CT |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SSRD8620CTRG-VF01
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки