SSM6N35AFE,LF теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SSM6N35AFE,LF, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SSM6N35AFE,LF по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SSM6N35AFE,LF с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
SSM6N35AFE,LF
- Тип продуктов:
- SSM6N35AFE,LF
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Описание:
- MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 250MA ES6
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 56573 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- SSM6N35AFE,LF.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 1V @ 100µA |
| Поставщик Упаковка устройства: | ES6 |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V |
| Мощность - Макс: | 250mW |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SOT-563, SOT-666 |
| Другие названия: | SSM6N35AFE,LF(B SSM6N35AFELF SSM6N35AFELF(B SSM6N35AFELF-ND SSM6N35AFELFTR |
| Рабочая Температура: | 150°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 36pF @ 10V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 0.34nC @ 4.5V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Характеристика: | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 20V |
| Подробное описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6 |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 250mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SSM6N35AFE,LF
Latest Новости
- Производительность ADI снижается, подложки медной фольги выросли, хранение оригинального увеличения заводов по производству консервативного
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился