SSM3K335R,LF теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SSM3K335R,LF, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SSM3K335R,LF по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SSM3K335R,LF с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
SSM3K335R,LF
- Тип продуктов:
- SSM3K335R,LF
- производитель:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Описание:
- MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 37492 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- SSM3K335R,LF.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | 2.5V @ 100µA |
| Vgs (макс.): | ±20V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | SOT-23F |
| Серии: | U-MOSVII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 38 mOhm @ 4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 1W (Ta) |
| упаковка: | Cut Tape (CT) |
| Упаковка /: | SOT-23-3 Flat Leads |
| Другие названия: | SSM3K335RLF(TCT SSM3K335RLF(TCT-ND SSM3K335RLFCT |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 340pF @ 15V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 2.7nC @ 4.5V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 30V |
| Подробное описание: | N-Channel 30V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для SSM3K335R,LF
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки