SIAA00DJ-T1-GE3
SIAA00DJ-T1-GE3
Тип продуктов:
SIAA00DJ-T1-GE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET N-CHAN 25V
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
38502 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
SIAA00DJ-T1-GE3.pdf

Введение

SIAA00DJ-T1-GE3 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SIAA00DJ-T1-GE3, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SIAA00DJ-T1-GE3 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SIAA00DJ-T1-GE3 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (макс.):+16V, -12V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PowerPAK® SC-70-6 Single
Серии:TrenchFET® Gen IV
Rds On (Max) @ Id, Vgs:5.6 mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
упаковка:Cut Tape (CT)
Упаковка /:PowerPAK® SC-70-6
Другие названия:SIAA00DJ-T1-GE3CT
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:1090pF @ 12.5V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:24nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):25V
Подробное описание:N-Channel 25V 20.1A (Ta), 40A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:20.1A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости