SI5459DU-T1-GE3
SI5459DU-T1-GE3
Тип продуктов:
SI5459DU-T1-GE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET P-CH 20V 8A CHIPFET
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
35060 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
SI5459DU-T1-GE3.pdf

Введение

SI5459DU-T1-GE3 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SI5459DU-T1-GE3, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SI5459DU-T1-GE3 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SI5459DU-T1-GE3 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:1.4V @ 250µA
Vgs (макс.):±12V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:PowerPAK® ChipFet Single
Серии:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:52 mOhm @ 6.7A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс):3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:PowerPAK® ChipFET™ Single
Другие названия:SI5459DU-T1-GE3-ND
SI5459DU-T1-GE3TR
SI5459DUT1GE3
Рабочая Температура:-50°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:32 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:665pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:26nC @ 10V
Тип FET:P-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):2.5V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):20V
Подробное описание:P-Channel 20V 8A (Tc) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости