SI4196DY-T1-GE3
Тип продуктов:
SI4196DY-T1-GE3
производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание:
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
46071 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
SI4196DY-T1-GE3.pdf

Введение

SI4196DY-T1-GE3 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для SI4196DY-T1-GE3, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для SI4196DY-T1-GE3 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить SI4196DY-T1-GE3 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Vgs (макс.):±8V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:8-SO
Серии:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:27 mOhm @ 8A, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс):2W (Ta), 4.6W (Tc)
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:15 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:830pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:22nC @ 8V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 4.5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):20V
Подробное описание:N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости