RJK4512DPE-00#J3 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для RJK4512DPE-00#J3, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для RJK4512DPE-00#J3 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить RJK4512DPE-00#J3 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
RJK4512DPE-00#J3
- Тип продуктов:
- RJK4512DPE-00#J3
- производитель:
- Renesas Electronics America
- Описание:
- MOSFET N-CH 450V 14A LDPAK
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 22785 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- RJK4512DPE-00#J3.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Vgs (й) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (макс.): | ±30V |
| Технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства: | 4-LDPAK |
| Серии: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 510 mOhm @ 7A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс): | 100W (Tc) |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | SC-83 |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
| Тип FET: | N-Channel |
| FET Характеристика: | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS): | 450V |
| Подробное описание: | N-Channel 450V 14A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount 4-LDPAK |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C: | 14A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для RJK4512DPE-00#J3
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки