NLCV32T-R15M-EFRD теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для NLCV32T-R15M-EFRD, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для NLCV32T-R15M-EFRD по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить NLCV32T-R15M-EFRD с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
NLCV32T-R15M-EFRD
- Тип продуктов:
- NLCV32T-R15M-EFRD
- производитель:
- TDK Corporation
- Описание:
- FIXED IND 150NH 2.6A 28.8 MOHM
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 55943 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- NLCV32T-R15M-EFRD.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Тип: | Wirewound |
| Толерантность: | ±20% |
| Поставщик Упаковка устройства: | 1210 (3225 Metric) |
| Размер / Dimension: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| экранирование: | Unshielded |
| Серии: | NLCV-EFD |
| Рейтинги: | AEC-Q200 |
| Q @ Freq: | 10 @ 25.2MHz |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 1210 (3225 Metric) |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 125°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Материал - Core: | Ferrite |
| Стандартное время изготовления: | 14 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - индуктивность: | 25.2MHz |
| индуктивность: | 150nH |
| Высота - Сидящая (Макс): | 0.094" (2.40mm) |
| Частота - Self Резонансное: | 500MHz |
| Подробное описание: | 150nH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 28.8 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| Сопротивление постоянному току (DCR): | 28.8 mOhm Max |
| Текущий рейтинг: | 2.6A |
| Ток - Насыщенность: | - |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для NLCV32T-R15M-EFRD
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки