MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR
- Тип продуктов:
- MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR
- производитель:
- Micron Technology
- Описание:
- IC FLASH RAM 2G PARAL 137TFBGA
- Бессвинцовый статус:
- Без свинца / Соответствует RoHS
- Количество на складе:
- 42384 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Время цикла записи - слово, страница: | - |
| Напряжение тока - поставка: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Технологии: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
| Поставщик Упаковка устройства: | 137-TFBGA (10.5x13) |
| Серии: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка /: | 137-TFBGA |
| Другие названия: | MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR-ND MT29C2G24MAABAKAKD-5ITTR |
| Рабочая Температура: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Тип памяти: | Non-Volatile |
| Размер памяти: | 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) |
| Интерфейс памяти: | Parallel |
| Формат памяти: | FLASH, RAM |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание: | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 2Gb (128M x 16)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 137-TFBGA (10.5x13) |
| Тактовая частота: | 200MHz |
| Номер базового номера: | MT29C2G24M |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для MT29C2G24MAABAKAKD-5 IT TR
Latest Новости
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки