JANTXV1N6624US теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для JANTXV1N6624US, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для JANTXV1N6624US по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить JANTXV1N6624US с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
JANTXV1N6624US
- Тип продуктов:
- JANTXV1N6624US
- производитель:
- Microsemi
- Описание:
- DIODE GEN PURP 900V 1A D5A
- Бессвинцовый статус:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Количество на складе:
- 49068 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- JANTXV1N6624US.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.55V @ 1A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс): | 900V |
| Поставщик Упаковка устройства: | D-5A |
| скорость: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/585 |
| Обратное время восстановления (ТИР): | 60ns |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | SQ-MELF, A |
| Другие названия: | JANTXV1N6624US-MIL |
| Рабочая температура - Соединение: | -65°C ~ 150°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 12 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Диод Тип: | Standard |
| Подробное описание: | Diode Standard 900V 1A Surface Mount D-5A |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 500nA @ 150V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io): | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F: | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для JANTXV1N6624US
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N6623U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF | запрос |
|
JANTXV1N6623 | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | запрос |
|
JANTXV1N6627 | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL | запрос |
|
JANTXV1N6622U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF | запрос |
|
JANTXV1N6621US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.2A D5A | запрос |
 |
JANTXV1N6622 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.2A AXIAL | запрос |
|
JANTXV1N6622US | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.2A D5A | запрос |
|
JANTXV1N6627U | Microsemi | DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF | запрос |
|
JANTXV1N6621U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF | запрос |
 |
JANTXV1N6628 | Microsemi | DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL | запрос |
|
JANTXV1N6627US | Microsemi | DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B | запрос |
|
JANTXV1N6625 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | запрос |
|
JANTXV1N6625U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF | запрос |
|
JANTXV1N6626U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF | запрос |
|
JANTXV1N6623US | Microsemi | DIODE GEN PURP 880V 1A D5A | запрос |
|
JANTXV1N6624U | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF | запрос |
|
JANTXV1N6626US | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B | запрос |
|
JANTXV1N6625US | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A | запрос |
|
JANTXV1N6626 | Microsemi | DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL | запрос |
|
JANTXV1N6624 | Microsemi | DIODE GEN PURP 990V 1A D5A | запрос |
Latest Новости
- План Micron по строительству завода, флэш -памяти NAND по высоким ценам или обслуживанию
- Производительность ADI снижается, подложки медной фольги выросли, хранение оригинального увеличения заводов по производству консервативного
- Волна интеллекта в машине идет, и Айсус Осланг помог Сагите Югуан с выпуском MX Lidar
- Производственные мощности HBM исключены, память DRAM может быть недостатка во второй половине года
- Основатели стен закончится, HBM или заставит DRAM снова подняться
- Спрос на расширение мобильного телефона и ПК в области искусств
- Понимание потребностей систем мониторинга ADA и салона для датчиков образа безопасности сети
- По слухам, что Samsung и SK Hynix остановили DDR3, а пропаганда выросла на 20 %
- Melexis выпустил MLX90427: Линейный контроль над новым выбором, безопасным, эффективным и экономичным
- Объявлено финансовый отчет NXP и Ansonmei, и цена цен на медь передается в отрасль ИК
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти