JAN1N4124CUR-1 теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для JAN1N4124CUR-1, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для JAN1N4124CUR-1 по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить JAN1N4124CUR-1 с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]
JAN1N4124CUR-1
- Тип продуктов:
- JAN1N4124CUR-1
- производитель:
- Microsemi
- Описание:
- DIODE ZENER 43V DO213AA
- Бессвинцовый статус:
- Содержит несоответствие свинца / RoHS
- Количество на складе:
- 52397 Pieces
- Срок поставки:
- 1-2 days
- Время выполнения заказа:
- 4-8 weeks
- Техническая спецификация:
- JAN1N4124CUR-1.pdf
Введение
Спецификация
| Состояние | New & Original, tested |
|---|---|
| Страна происхождения | Contact us |
| Код маркировки | Send by email |
| Напряжение - Zener (Nom) (Vz): | 43V |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если: | 1.1V @ 200mA |
| Толерантность: | ±2% |
| Поставщик Упаковка устройства: | DO-213AA |
| Серии: | Military, MIL-PRF-19500/435 |
| упаковка: | Bulk |
| Упаковка /: | DO-213AA (Glass) |
| Другие названия: | 1086-17360 1086-17360-MIL |
| Рабочая Температура: | -65°C ~ 175°C |
| Тип установки: | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления: | 28 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Сопротивление (Макс) (ZZT): | 250 Ohms |
| Подробное описание: | Zener Diode 43V ±2% Surface Mount DO-213AA |
| Ток - Обратный утечки @ Vr: | 10nA @ 32.7V |
| Email: | [email protected] |
Связанные части для JAN1N4124CUR-1
| Образ | Тип продуктов | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N4123D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 39V DO35 | запрос |
|
JAN1N4124D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 43V DO35 | запрос |
|
JAN1N4125C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 47V DO35 | запрос |
 |
JAN1N4123CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 39V DO213AA | запрос |
 |
JAN1N4125-1 | Microsemi | DIODE ZENER 47V 500MW DO35 | запрос |
|
JAN1N4124C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 43V DO35 | запрос |
|
JAN1N4125CUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 47V DO213AA | запрос |
|
JAN1N4124-1 | Microsemi | DIODE ZENER 43V DO35 | запрос |
|
JAN1N4123UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 39V DO213AA | запрос |
|
JAN1N4125UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 47V DO213AA | запрос |
|
JAN1N4123C-1 | Microsemi | DIODE ZENER 39V DO35 | запрос |
|
JAN1N4125D-1 | Microsemi | DIODE ZENER 47V DO35 | запрос |
|
JAN1N4124UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 43V DO213AA | запрос |
|
JAN1N4125DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 47V DO213AA | запрос |
|
JAN1N4122UR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 36V DO213AA | запрос |
|
JAN1N4123-1 | Microsemi | DIODE ZENER 39V DO35 | запрос |
|
JAN1N4122DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 36V DO213AA | запрос |
|
JAN1N4123DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 39V DO213AA | запрос |
|
JAN1N4126-1 | Microsemi | DIODE ZENER 51V DO35 | запрос |
|
JAN1N4124DUR-1 | Microsemi | DIODE ZENER 43V DO213AA | запрос |
Latest Новости
- Moels Micro Electronics создала новые офисы в Тайване, Китай, чтобы расширить территорию бизнеса
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Финансовый отчет о полупроводнике (ST) в первом квартале уменьшается, и спрос на автомобили замедлился
- Производительность Texas Instruments еще предстоит повысить, и две фабрики хранения толкают новые продукты флэш -памяти
- Локальный объем зрелого чипа, Samsung Nand Flash Memory емкость вблизи нагрузки
- Вишай запускает мини -упаковку высокой яркости маленький синий и чистый зеленый светодиод
- Ansonmei запустил индуктивный датчик положения для промышленного и транспортного рынка
- Ruisa начинает старую фабрику, чтобы увеличить силовое устройство, землетрясение влияет
- Microchip позволяет производственную мощность TSMC и увеличивает повышение цены.
- Ruisa запустила новую серию RA0 Ultra -Low Power Intry -Level MCU
- Melexis запускает полную чип индуктора индуктора
- X-FAB вводит технологию освещения датчика изображения для повышения производительности датчика CMOS