IXTA1R6N100D2HV
IXTA1R6N100D2HV
Тип продуктов:
IXTA1R6N100D2HV
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH
Количество на складе:
54160 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
IXTA1R6N100D2HV.pdf

Введение

IXTA1R6N100D2HV теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для IXTA1R6N100D2HV, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IXTA1R6N100D2HV по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить IXTA1R6N100D2HV с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-263HV
Серии:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 Ohm @ 800mA, 0V
Рассеиваемая мощность (макс):100W (Tc)
Упаковка /:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:645pF @ 10V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:27nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:Depletion Mode
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):0V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1000V
Подробное описание:N-Channel 1000V 1.6A (Tj) 100W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:1.6A (Tj)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Latest Новости