русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > IXTA08N100P
IXTA08N100P
IXTA08N100P
Тип продуктов:
IXTA08N100P
производитель:
IXYS Corporation
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
Бессвинцовый статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
39443 Pieces
Срок поставки:
1-2 days
Время выполнения заказа:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
IXTA08N100P.pdf
запрос

Введение

IXTA08N100P теперь доступен!Технология LYNTEAM - это штамповочный дистрибьютор для IXTA08N100P, у нас есть акции для немедленной доставки, а также доступны в течение длительного времени.Пожалуйста, отправьте нам свой план покупки для IXTA08N100P по электронной почте, мы дадим вам лучшую цену в соответствии с вашим планом.
Купить IXTA08N100P с LYNTEAM, сохраните свои деньги и время.
Наше письмо: [email protected]

Спецификация

Состояние New & Original, tested
Страна происхождения Contact us
Код маркировки Send by email
Vgs (й) (Max) @ Id:4V @ 50µA
Vgs (макс.):±20V
Технологии:MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства:TO-263 (IXTA)
Серии:Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 Ohm @ 500mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс):42W (Tc)
упаковка:Tube
Упаковка /:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:24 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:240pF @ 25V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:11.3nC @ 10V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):10V
Слить к источнику напряжения (VDSS):1000V
Подробное описание:N-Channel 1000V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:800mA (Tc)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для IXTA08N100P

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
IXTA10N60P Image IXTA10N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK запрос
IXTA08N50D2 Image IXTA08N50D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK запрос
IXTA110N055T Image IXTA110N055T IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 запрос
IXT-1-1N100S1 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC запрос
IXTA08N100D2HV Image IXTA08N100D2HV IXYS Corporation MOSFET N-CH запрос
IXTA110N055P Image IXTA110N055P IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 запрос
IXTA05N100HV Image IXTA05N100HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 запрос
IXTA02N450HV Image IXTA02N450HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 запрос
IXTA10P50PTRL Image IXTA10P50PTRL IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA запрос
IXTA05N100 Image IXTA05N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263 запрос
IXTA02N250 Image IXTA02N250 IXYS Corporation MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 запрос
IXTA102N15T Image IXTA102N15T IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 102A TO-263 запрос
IXTA10P50P Image IXTA10P50P IXYS Corporation MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 запрос
IXTA08N120P Image IXTA08N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 запрос
IXTA06N120P Image IXTA06N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 запрос
IXT-1-1N100S1-TR IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 1.5A 8-SOIC запрос
IXTA02N250HV Image IXTA02N250HV IXYS Corporation MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 запрос
IXTA110N055T2 Image IXTA110N055T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 55V 110A TO-263 запрос
IXTA100N04T2 Image IXTA100N04T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 запрос
IXTA08N100D2 Image IXTA08N100D2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK запрос

Latest Новости